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Infineon 零部件

正在显示 385–408 /共 936 件产品第 17 / 39 页
1200 V, 200 A half-bridge IGBT module可按需提供1200 V, 200 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF200R12KE4P · Infineon
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1200 V, 300 A half-bridge IGBT module可按需提供1200 V, 300 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF300R12KE4P · Infineon
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1200 V, 450 A half-bridge IGBT module可按需提供1200 V, 450 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF450R12KT4P · Infineon
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1200 V, 450 A half-bridge IGBT module可按需提供1200 V, 450 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF450R12KE4P · Infineon
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1700 V, 1000 A half-bridge IGBT module可按需提供1700 V, 1000 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF1000R17IE4P · Infineon
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1700 V, 1400 A half-bridge IGBT module可按需提供1700 V, 1400 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF1400R17IP4P · Infineon
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1200 V, 300 A half-bridge IGBT module可按需提供1200 V, 300 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF300R12KS4P · Infineon
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34 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in solder bond technology可按需提供34 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in solder bond technology
制造商料号: TT190N16SOF · Infineon
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34 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in solder bond technology可按需提供34 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in solder bond technology
制造商料号: TD190N16SOF · Infineon
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1200 V, 300 A common emitter IGBT module可按需提供1200 V, 300 A common emitter IGBT module
制造商料号: FF300R12KT3P-E · Infineon
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20 mm Single Rectifier Diode Module with 1200 V in pressure contact technology可按需提供20 mm Single Rectifier Diode Module with 1200 V in pressure contact technology
制造商料号: ND89N12K · Infineon
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20 mm Rectifier Diode Module with 1400 V in pressure contact technology可按需提供20 mm Rectifier Diode Module with 1400 V in pressure contact technology
制造商料号: DD89N14K · Infineon
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20 mm Rectifier Diode Module with 2200 V in pressure contact technology可按需提供20 mm Rectifier Diode Module with 2200 V in pressure contact technology
制造商料号: DD98N22K · Infineon
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20 mm Rectifier Diode Module with 1600 V in pressure contact technology可按需提供20 mm Rectifier Diode Module with 1600 V in pressure contact technology
制造商料号: DD89N16K · Infineon
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20 mm Rectifier Diode Module with 1600 V in pressure contact technology可按需提供20 mm Rectifier Diode Module with 1600 V in pressure contact technology
制造商料号: DD104N16K · Infineon
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20 mm Rectifier Diode Module with 1200 V in pressure contact technology可按需提供20 mm Rectifier Diode Module with 1200 V in pressure contact technology
制造商料号: DD89N12K · Infineon
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50 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in pressure contact technology可按需提供50 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in pressure contact technology
制造商料号: TT251N16KOF · Infineon
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50 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in solder bond technology可按需提供50 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in solder bond technology
制造商料号: TD320N16SOF · Infineon
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50 mm Rectifier Diode Module with 1600 V in solder bond technology可按需提供50 mm Rectifier Diode Module with 1600 V in solder bond technology
制造商料号: DD340N16S · Infineon
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50 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in solder bond technology可按需提供50 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in solder bond technology
制造商料号: TT280N16SOF · Infineon
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50 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in solder bond technology可按需提供50 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in solder bond technology
制造商料号: TD280N16SOF · Infineon
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50 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in solder bond technology可按需提供50 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in solder bond technology
制造商料号: TT320N16SOF · Infineon
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1200 V, 75 A 3-level IGBT module可按需提供1200 V, 75 A 3-level IGBT module
制造商料号: F3L75R12W1H3-B11 · Infineon
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1200 V, 25 A 3-level IGBT module可按需提供1200 V, 25 A 3-level IGBT module
制造商料号: FS3L25R12W2H3-B11 · Infineon
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