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Infineon 零部件

正在显示 1–24 /共 936 件产品第 1 / 39 页
Infineon HYS72D128320GBR-7-B Used二手Infineon HYS72D128320GBR-7-B Used
制造商料号: HYS72D128320GBR-7-B · Infineon
€15.90
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Infineon SYNC 133MHZ CL3 Used二手Infineon SYNC 133MHZ CL3 Used
制造商料号: SYNC 133MHZ CL3 · Infineon
€5.30
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Infineon PC2100R-20330-DO Used二手Infineon PC2100R-20330-DO Used
制造商料号: PC2100R-20330-DO · Infineon
€5.30
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34 mm Rectifier Diode Module with 2200 V in pressure contact technology可按需提供34 mm Rectifier Diode Module with 2200 V in pressure contact technology
制造商料号: DD230N22K · Infineon
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1200 V, 1000 A half-bridge IGBT module可按需提供1200 V, 1000 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF1000R12KE7I-S8 · Infineon
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6500 V, 1500 A single switch IGBT module可按需提供6500 V, 1500 A single switch IGBT module
制造商料号: FZ1500R65KL7 · Infineon
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60 mm Thyristor/Diode Module with 1800 V in pressure contact technology可按需提供60 mm Thyristor/Diode Module with 1800 V in pressure contact technology
制造商料号: TD570N18KOFB01A · Infineon
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1200 V, 800 A half-bridge IGBT module可按需提供1200 V, 800 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF800R12KE7D-S8 · Infineon
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60 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in pressure contact technology可按需提供60 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in pressure contact technology
制造商料号: TD570N16KOFB01A · Infineon
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60 mm Thyristor/Diode Module with 2200 V in pressure contact technology可按需提供60 mm Thyristor/Diode Module with 2200 V in pressure contact technology
制造商料号: TD520N22KOFB01A · Infineon
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60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in pressure contact technology可按需提供60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in pressure contact technology
制造商料号: TT600N16KOFB01A · Infineon
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60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1800 V in pressure contact technology可按需提供60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1800 V in pressure contact technology
制造商料号: TT570N18KOFB01A · Infineon
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60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in pressure contact technology可按需提供60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in pressure contact technology
制造商料号: TT570N16KOFB01A · Infineon
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60 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in pressure contact technology可按需提供60 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in pressure contact technology
制造商料号: TD600N16KOFB01A · Infineon
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60 mm Thyristor/Thyristor Module with 2200 V in pressure contact technology可按需提供60 mm Thyristor/Thyristor Module with 2200 V in pressure contact technology
制造商料号: TT520N22KOFB01A · Infineon
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EasyPIM™ 1200 V, 15 A TRENCHSTOP/FIELDSTOP IGBT4, emitter-controlled 4 diode and TIM 2.0可按需提供EasyPIM™ 1200 V, 15 A TRENCHSTOP/FIELDSTOP IGBT4, emitter-controlled 4 diode and TIM 2.0
制造商料号: FP15R12W1T4Q · Infineon
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1200 V, 420 A in 3-level topology IGBT module可按需提供1200 V, 420 A in 3-level topology IGBT module
制造商料号: F3L420R12D3H7-B78 · Infineon
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1200 V, 420 A in 3-level topology IGBT module可按需提供1200 V, 420 A in 3-level topology IGBT module
制造商料号: F3L420R12D3H7F · Infineon
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HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™: Compact 1300V/390A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes可按需提供HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™: Compact 1300V/390A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
制造商料号: FS01M9R13A7MA2B · Infineon
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1200 V, 35 A single switch IGBT module可按需提供1200 V, 35 A single switch IGBT module
制造商料号: FZ35R12ST4-H18-A · Infineon
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1200 V, 560 A in 3-level boost topology IGBT module可按需提供1200 V, 560 A in 3-level boost topology IGBT module
制造商料号: FC560R12D3H7F-B78 · Infineon
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1200 V, 150 A common emitter IGBT module可按需提供1200 V, 150 A common emitter IGBT module
制造商料号: FF150R12W1T7E-B11 · Infineon
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1700 V, 1400 A half-bridge IGBT module可按需提供1700 V, 1400 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF1400R17T2P8 · Infineon
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1700 V, 2000 A half-bridge IGBT module可按需提供1700 V, 2000 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF2000R17T2P8 · Infineon
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