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Infineon 零部件

正在显示 361–384 /共 936 件产品第 16 / 39 页
60 mm Thyristor/Diode Module with 2200 V in pressure contact technology可按需提供60 mm Thyristor/Diode Module with 2200 V in pressure contact technology
制造商料号: TD520N22KOF · Infineon
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1200 V, 1800 A half-bridge IGBT module可按需提供1200 V, 1800 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF1800R12IE5 · Infineon
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1700 V, 1200 A half-bridge IGBT module可按需提供1700 V, 1200 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF1200R17IP5 · Infineon
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1200 V, 1200 A half-bridge IGBT module可按需提供1200 V, 1200 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF1200R12IE5 · Infineon
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1700 V, 500 A half-bridge IGBT module可按需提供1700 V, 500 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF500R17KE4 · Infineon
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1700 V, 400 A common emitter IGBT module可按需提供1700 V, 400 A common emitter IGBT module
制造商料号: FF400R17KE4-E · Infineon
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1700 V, 400 A half-bridge IGBT module可按需提供1700 V, 400 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF400R17KE4 · Infineon
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1200 V, 600 A common emitter IGBT module可按需提供1200 V, 600 A common emitter IGBT module
制造商料号: FF600R12KE4-E · Infineon
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1200 V, 600 A half-bridge IGBT module可按需提供1200 V, 600 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF600R12KE4 · Infineon
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CIPOS™ Mini 650 V, 30 A two-phase interleaved PFC intelligent power module可按需提供CIPOS™ Mini 650 V, 30 A two-phase interleaved PFC intelligent power module
制造商料号: IFCM30T65GD · Infineon
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34 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in solder bond technology可按需提供34 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in solder bond technology
制造商料号: TD160N16SOF · Infineon
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CIPOS™ Mini 650 V, 30 A three-phase interleaved PFC intelligent power module可按需提供CIPOS™ Mini 650 V, 30 A three-phase interleaved PFC intelligent power module
制造商料号: IFCM30U65GD · Infineon
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CIPOS™ Mini 650 V, 20 A three-phase interleaved PFC intelligent power module可按需提供CIPOS™ Mini 650 V, 20 A three-phase interleaved PFC intelligent power module
制造商料号: IFCM20U65GD · Infineon
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CIPOS™ Mini 650 V, 20 A two-phase interleaved PFC intelligent power module可按需提供CIPOS™ Mini 650 V, 20 A two-phase interleaved PFC intelligent power module
制造商料号: IFCM20T65GD · Infineon
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34 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in solder bond technology可按需提供34 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in solder bond technology
制造商料号: TT160N16SOF · Infineon
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34 mm Rectifier Diode Module with 1600 V in solder bond technology可按需提供34 mm Rectifier Diode Module with 1600 V in solder bond technology
制造商料号: DD180N16S · Infineon
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1200 V, 200 A sixpack IGBT module可按需提供1200 V, 200 A sixpack IGBT module
制造商料号: FS200R12PT4P · Infineon
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1200 V, 300 A half-bridge IGBT module可按需提供1200 V, 300 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF300R12KT4P · Infineon
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1200 V, 200 A chopper IGBT module可按需提供1200 V, 200 A chopper IGBT module
制造商料号: FD200R12KE3P · Infineon
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1700 V, 1000 A half-bridge IGBT module可按需提供1700 V, 1000 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF1000R17IE4DP-B2 · Infineon
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1200 V, 900 A dual IGBT module可按需提供1200 V, 900 A dual IGBT module
制造商料号: FF900R12IE4P · Infineon
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1200 V, 1400 A half-bridge IGBT module可按需提供1200 V, 1400 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF1400R12IP4P · Infineon
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1700 V, 650 A half-bridge IGBT module可按需提供1700 V, 650 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF650R17IE4P · Infineon
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1700 V, 650 A dual IGBT module可按需提供1700 V, 650 A dual IGBT module
制造商料号: FF650R17IE4DP-B2 · Infineon
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