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Infineon 零部件

正在显示 49–72 /共 936 件产品第 3 / 39 页
1200 V, 35 A PIM IGBT with Vienna PFC module可按需提供1200 V, 35 A PIM IGBT with Vienna PFC module
制造商料号: FP35R12N2T7-B67 · Infineon
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60 mm Rectifier Diode module with 2200 V in pressure contact technology可按需提供60 mm Rectifier Diode module with 2200 V in pressure contact technology
制造商料号: DD800N22K · Infineon
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1200 V, 100 A six-pack IGBT module可按需提供1200 V, 100 A six-pack IGBT module
制造商料号: FS100R12W2T7-B11-A · Infineon
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1200 V, 420 A three-level NPC2 IGBT module可按需提供1200 V, 420 A three-level NPC2 IGBT module
制造商料号: F3L420R12W3H7-H21 · Infineon
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1200 V, 420 A three-level ANPC IGBT module可按需提供1200 V, 420 A three-level ANPC IGBT module
制造商料号: F3L420R12W4H7-H11 · Infineon
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1200 V, 35 A single switch IGBT module可按需提供1200 V, 35 A single switch IGBT module
制造商料号: FZ35R12W1T4-B18-A · Infineon
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1200 V, 340 A three-level NPC2 IGBT module可按需提供1200 V, 340 A three-level NPC2 IGBT module
制造商料号: F3L340R12W3H7-H11 · Infineon
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60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1800 V in pressure contact technology可按需提供60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1800 V in pressure contact technology
制造商料号: TT590N18KOF · Infineon
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60 mm Thyristor/Diode Module with 1800 V in pressure contact technology可按需提供60 mm Thyristor/Diode Module with 1800 V in pressure contact technology
制造商料号: TD590N18KOF · Infineon
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6500 V, 675 A single switch IGBT module可按需提供6500 V, 675 A single switch IGBT module
制造商料号: FZ675R65KE4 · Infineon
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1200 V, 500 A three-level NPC2 IGBT module可按需提供1200 V, 500 A three-level NPC2 IGBT module
制造商料号: F3L500R12W3H7-H20 · Infineon
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1700 V, 900 A half-bridge IGBT module可按需提供1700 V, 900 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF900R17ME7C · Infineon
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1200 V, 75 A common emitter IGBT module可按需提供1200 V, 75 A common emitter IGBT module
制造商料号: FF75R12W1T7E-B11 · Infineon
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1200 V, 300 A common emitter IGBT module可按需提供1200 V, 300 A common emitter IGBT module
制造商料号: FF300R12W2T7E-B11 · Infineon
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1200 V, 100 A common emitter IGBT module可按需提供1200 V, 100 A common emitter IGBT module
制造商料号: FF100R12W1T7E-B11 · Infineon
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1200 V, 150 A common emitter IGBT module可按需提供1200 V, 150 A common emitter IGBT module
制造商料号: FF150R12W2T7E-B11 · Infineon
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1200 V, 200 A common emitter IGBT module可按需提供1200 V, 200 A common emitter IGBT module
制造商料号: FF200R12W2T7E-B11 · Infineon
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1700 V, 750 A half-bridge IGBT module可按需提供1700 V, 750 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF750R17ME7DP-B11 · Infineon
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1200 V, 900 A dual IGBT module可按需提供1200 V, 900 A dual IGBT module
制造商料号: FF900R12ME7W · Infineon
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1200 V, 450 A dual IGBT module可按需提供1200 V, 450 A dual IGBT module
制造商料号: FF450R12ME7 · Infineon
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1200 V, 600 A dual IGBT module可按需提供1200 V, 600 A dual IGBT module
制造商料号: FF600R12ME7 · Infineon
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1200 V, 900 A dual IGBT module可按需提供1200 V, 900 A dual IGBT module
制造商料号: FF900R12ME7 · Infineon
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3300 V, 1200 A single switch IGBT module可按需提供3300 V, 1200 A single switch IGBT module
制造商料号: FZ1200R33HE4D-B9 · Infineon
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3300 V, 1600 A diodes IGBT module可按需提供3300 V, 1600 A diodes IGBT module
制造商料号: DD1600S33HE4 · Infineon
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