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Piezas Infineon

Mostrando 1–24 de 936 piezasPágina 1 de 39
Infineon HYS72D128320GBR-7-B UsedUsadoInfineon HYS72D128320GBR-7-B Used
Referencia: HYS72D128320GBR-7-B · Infineon
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Infineon SYNC 133MHZ CL3 UsedUsadoInfineon SYNC 133MHZ CL3 Used
Referencia: SYNC 133MHZ CL3 · Infineon
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Infineon PC2100R-20330-DO UsedUsadoInfineon PC2100R-20330-DO Used
Referencia: PC2100R-20330-DO · Infineon
€5.30
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34 mm Rectifier Diode Module with 2200 V in pressure contact technologyDisponible bajo consulta34 mm Rectifier Diode Module with 2200 V in pressure contact technology
Referencia: DD230N22K · Infineon
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1200 V, 1000 A half-bridge IGBT moduleDisponible bajo consulta1200 V, 1000 A half-bridge IGBT module
Referencia: FF1000R12KE7I-S8 · Infineon
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6500 V, 1500 A single switch IGBT moduleDisponible bajo consulta6500 V, 1500 A single switch IGBT module
Referencia: FZ1500R65KL7 · Infineon
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60 mm Thyristor/Diode Module with 1800 V in pressure contact technologyDisponible bajo consulta60 mm Thyristor/Diode Module with 1800 V in pressure contact technology
Referencia: TD570N18KOFB01A · Infineon
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1200 V, 800 A half-bridge IGBT moduleDisponible bajo consulta1200 V, 800 A half-bridge IGBT module
Referencia: FF800R12KE7D-S8 · Infineon
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60 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in pressure contact technologyDisponible bajo consulta60 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in pressure contact technology
Referencia: TD570N16KOFB01A · Infineon
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60 mm Thyristor/Diode Module with 2200 V in pressure contact technologyDisponible bajo consulta60 mm Thyristor/Diode Module with 2200 V in pressure contact technology
Referencia: TD520N22KOFB01A · Infineon
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60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in pressure contact technologyDisponible bajo consulta60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in pressure contact technology
Referencia: TT600N16KOFB01A · Infineon
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60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1800 V in pressure contact technologyDisponible bajo consulta60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1800 V in pressure contact technology
Referencia: TT570N18KOFB01A · Infineon
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60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in pressure contact technologyDisponible bajo consulta60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1600 V in pressure contact technology
Referencia: TT570N16KOFB01A · Infineon
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60 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in pressure contact technologyDisponible bajo consulta60 mm Thyristor/Diode Module with 1600 V in pressure contact technology
Referencia: TD600N16KOFB01A · Infineon
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60 mm Thyristor/Thyristor Module with 2200 V in pressure contact technologyDisponible bajo consulta60 mm Thyristor/Thyristor Module with 2200 V in pressure contact technology
Referencia: TT520N22KOFB01A · Infineon
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EasyPIM™ 1200 V, 15 A TRENCHSTOP/FIELDSTOP IGBT4, emitter-controlled 4 diode and TIM 2.0Disponible bajo consultaEasyPIM™ 1200 V, 15 A TRENCHSTOP/FIELDSTOP IGBT4, emitter-controlled 4 diode and TIM 2.0
Referencia: FP15R12W1T4Q · Infineon
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1200 V, 420 A in 3-level topology IGBT moduleDisponible bajo consulta1200 V, 420 A in 3-level topology IGBT module
Referencia: F3L420R12D3H7-B78 · Infineon
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1200 V, 420 A in 3-level topology IGBT moduleDisponible bajo consulta1200 V, 420 A in 3-level topology IGBT module
Referencia: F3L420R12D3H7F · Infineon
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HybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™: Compact 1300V/390A B6-bridge power module optimized for inverter various power classesDisponible bajo consultaHybridPACK™ Drive G2 CoolSiC™: Compact 1300V/390A B6-bridge power module optimized for inverter various power classes
Referencia: FS01M9R13A7MA2B · Infineon
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1200 V, 35 A single switch IGBT moduleDisponible bajo consulta1200 V, 35 A single switch IGBT module
Referencia: FZ35R12ST4-H18-A · Infineon
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1200 V, 560 A in 3-level boost topology IGBT moduleDisponible bajo consulta1200 V, 560 A in 3-level boost topology IGBT module
Referencia: FC560R12D3H7F-B78 · Infineon
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1200 V, 150 A common emitter IGBT moduleDisponible bajo consulta1200 V, 150 A common emitter IGBT module
Referencia: FF150R12W1T7E-B11 · Infineon
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1700 V, 1400 A half-bridge IGBT moduleDisponible bajo consulta1700 V, 1400 A half-bridge IGBT module
Referencia: FF1400R17T2P8 · Infineon
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1700 V, 2000 A half-bridge IGBT moduleDisponible bajo consulta1700 V, 2000 A half-bridge IGBT module
Referencia: FF2000R17T2P8 · Infineon
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