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Infineon 零部件

正在显示 169–192 /共 936 件产品第 8 / 39 页
1200 V, 200 A sixpack IGBT module可按需提供1200 V, 200 A sixpack IGBT module
制造商料号: FS200R12W3T7-B11 · Infineon
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1200 V, 750 A half-bridge IGBT module可按需提供1200 V, 750 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF750R12ME7-B11 · Infineon
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1200 V, 450 A half-bridge IGBT module可按需提供1200 V, 450 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF450R12ME7-B11 · Infineon
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1200 V, 300 A half-bridge IGBT module可按需提供1200 V, 300 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF300R12ME7-B11 · Infineon
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1200 V, 600 A half-bridge IGBT module可按需提供1200 V, 600 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF600R12ME7-B11 · Infineon
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3300 V, 825 A single switch IGBT module可按需提供3300 V, 825 A single switch IGBT module
制造商料号: FZ825R33HE4D · Infineon
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4500 V, 1800 A single switch IGBT module可按需提供4500 V, 1800 A single switch IGBT module
制造商料号: FZ1800R45HL4-S7 · Infineon
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4500 V, 1800 A single switch IGBT module可按需提供4500 V, 1800 A single switch IGBT module
制造商料号: FZ1800R45HL4 · Infineon
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750 V, 950 A sixpack automotive qualified IGBT module可按需提供750 V, 950 A sixpack automotive qualified IGBT module
制造商料号: FS950R08A6P2LB · Infineon
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3300 V, 2400 A single switch IGBT module可按需提供3300 V, 2400 A single switch IGBT module
制造商料号: FZ2400R33HE4 · Infineon
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3300 V, 1600 A single switch IGBT module可按需提供3300 V, 1600 A single switch IGBT module
制造商料号: FZ1600R33HE4 · Infineon
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60 mm Thyristor/Diode Module with 1800 V in pressure contact technology可按需提供60 mm Thyristor/Diode Module with 1800 V in pressure contact technology
制造商料号: TD780N18KOF · Infineon
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1200 V, 2400 A dual Common Collector IGBT module可按需提供1200 V, 2400 A dual Common Collector IGBT module
制造商料号: FF2400RB12IP7P · Infineon
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60 mm Thyristor/Diode Module with 1800 V in pressure contact technology可按需提供60 mm Thyristor/Diode Module with 1800 V in pressure contact technology
制造商料号: TD570N18KOF · Infineon
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60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1800 V in pressure contact technology可按需提供60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1800 V in pressure contact technology
制造商料号: TT570N18KOF · Infineon
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60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1800 V in pressure contact technology可按需提供60 mm Thyristor/Thyristor Module with 1800 V in pressure contact technology
制造商料号: TT780N18KOF · Infineon
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1200 V, 600 A half-bridge IGBT Module可按需提供1200 V, 600 A half-bridge IGBT Module
制造商料号: FF600R12KT4 · Infineon
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1200 V, 75 A PIM IGBT module可按需提供1200 V, 75 A PIM IGBT module
制造商料号: FP75R12W3T7-B11 · Infineon
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1200 V, 50 A PIM IGBT module可按需提供1200 V, 50 A PIM IGBT module
制造商料号: FP50R12W3T7-B11 · Infineon
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1200 V, 1600 A half-bridge IGBT module可按需提供1200 V, 1600 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF1600R12IP7 · Infineon
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1200 V, 2400 A dual Common Collector IGBT module可按需提供1200 V, 2400 A dual Common Collector IGBT module
制造商料号: FF2400RB12IP7 · Infineon
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2300 V, 1800 A half-bridge IGBT module可按需提供2300 V, 1800 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF1800R23IE7 · Infineon
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1200 V, 100 A PIM IGBT module可按需提供1200 V, 100 A PIM IGBT module
制造商料号: FP100R12W3T7-B11 · Infineon
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6500 V, 225 A half-bridge IGBT module可按需提供6500 V, 225 A half-bridge IGBT module
制造商料号: FF225R65T3E3 · Infineon
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